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厂商型号

BCW60B 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN/ 32V/ 100mA

内部编号

3-BCW60B

订购说明

质量保障

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BCW60B产品详细规格

规格书 BCW60B datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 550mV @ 1.25mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) 20nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 180 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 125MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 125(Min)
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 32
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 32
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 350
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 125MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 550mV @ 1.25mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) 20nA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 180 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.55 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 350 mW
直流集电极/增益hfe最小值 180
直流电流增益hFE最大值 310
增益带宽产品fT 125 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 32 V
单位重量 0.002116 oz
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 32 V
集电极最大直流电流 0.1 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压(最大值) 32 V
集电极 - 发射极电压 32 V
发射极 - 基极电压(最大值) 5 V
频率(最大) 125 MHz
功率耗散 0.35 W
安装 Surface Mount
包装类型 SOT-23
元件数 1
弧度硬化 No
直流电流增益(最小值) 20
集电极 - 基极电压 32 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极电流(DC ) 0.1 A
频率 125 MHz
直流电流增益 20

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