规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 20nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 180 @ 2mA, 5V |
功率 - 最大 | 350mW |
频率转换 | 125MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 0.1 |
最小直流电流增益 | 20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 125(Min) |
封装 | Tape and Reel |
最大集电极发射极电压 | 32 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 32 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大功率耗散 | 350 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 125MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 20nA |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
供应商设备封装 | SOT-23 |
功率 - 最大 | 350mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 180 @ 2mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.55 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
最大功率耗散 | 350 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 180 |
直流电流增益hFE最大值 | 310 |
增益带宽产品fT | 125 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
单位重量 | 0.002116 oz |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 32 V |
集电极最大直流电流 | 0.1 A |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.1 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.1 A |
集电极 - 基极电压(最大值) | 32 V |
集电极 - 发射极电压 | 32 V |
发射极 - 基极电压(最大值) | 5 V |
频率(最大) | 125 MHz |
功率耗散 | 0.35 W |
安装 | Surface Mount |
包装类型 | SOT-23 |
元件数 | 1 |
弧度硬化 | No |
直流电流增益(最小值) | 20 |
集电极 - 基极电压 | 32 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
集电极电流(DC ) | 0.1 A |
频率 | 125 MHz |
直流电流增益 | 20 |
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